طراحی حافظه‌های جدید فلاش 256 گیگابیتی از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. این حافظه ها دارای 48 لایه سه بیتی در سطوح مختلف هستند.

با افزایش چگالی این حافظه ها می توان ظرفیتشان را در آینده بیشتر کرد. علاوه بر سامسونگ، توشیبا، سن دیسک، اینتل و میکرون هم در تلاش برای طراحی حافظه های جدید NAND هستند و همگی قصد دارند این حافظه ها را با قیمت های رقابتی عرضه نمایند.